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蝕刻加工幾大要素

 

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 蝕刻加工是将材料使用化學反應或物理撞擊作用,而移除的技術。 蝕刻加工在航空機械化學工業中是可加工技術廣泛的被使用于減輕重量一切然版銘牌及傳統腐蝕加工坊難以加工的薄型工件等之加工。 蝕刻加工技術可以分為幹 蝕刻加工以及濕 蝕刻加工兩大類。 蝕刻加工是将晶片寂寞與适當的化學溶液中或将化學溶液噴灑至晶片上經由溶液或與被 蝕刻加工物間的化學反應,難以主薄膜表面的原子以達到是個加工的目的幹 蝕刻加工通常是一種電漿 蝕刻加工電漿在 蝕刻加工中作用可能是電漿中離子的物理性攻擊,或者可能是電漿中活性自由基與晶片表面原子間的化學反應,甚至也可能是兩者的複合作用化學性蝕刻加工是電漿蝕刻加工。用幹蝕刻加工腐蝕加工主要需注意是個的速率均勻度選擇比及蝕刻輪廓等。是個速率越快,蝕刻加工設備産能越快,腐蝕加工有助于降低成本及提升競争力,蝕刻加工速率通常可藉由氣體種類有江源極電壓功率控制在其他因素上可接受的條件下越快越好。均勻度是芯片上不同位置的是個女差異的一個指針較佳的均勻度意味着金元将有較大的靓女,尤其當金源從三十四十一直到十二時面積越大均勻度的控制就顯得更加重要。選擇比是蝕刻材料的蝕刻速率對屏蔽或底層蝕刻速率的比例控制,控制選擇比通常與氣體種類的種類與比例電漿或電壓功率甚至反應溫度均有關系。蝕刻輪廓一般而言,越接近九十度越好,除了少數的特例之外,如接觸窗或階梯覆蓋能力。

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